英特尔公司宣布在三栅极晶体管的研究开发方面取得进展，离实际应用更近了。
*精微电路块*
这种拥有三个栅极的晶体管是一种未来的晶体管，能够使电流更自由地在芯片内流动。晶体管是小小的开关。是电脑芯片运算的工具。三栅极晶体管的英文名字是Tri-Gate transistor。Gate，在英文里一般指的是门，而在这里可以翻译成栅极。也有人翻译成闸门的闸字，进而把这种新型的晶体管称作三闸极电晶体。《华尔街日报》引用英特尔官员的话说，三闸极电晶体是一种精微电路块，具有三维结构，而不是多数半导体使用的那种平面设计。
*微型晶体管*
三栅极晶体管有助于让晶体管微型化，并且解决微型晶体管的漏电问题。美国的信息技术网站CNET 报道说，节制电流是芯片设计者面临的一大问题。根据摩尔定律，芯片上晶体管的数量每两年就会翻一番。这通常通过缩小晶体管来实现。遗憾的是，小的晶体管会漏电，减少了电池使用时间，也增加了电子装置里的热量。三栅极晶体管能够改善这种情况。方法是，增大栅极的表面积。传统的栅极是平的，电流在栅极下面流动。而三栅极呢，象一个地道，电流在它的内侧流动。栅极的表面积增大了，电流的稳定性就提高了。而当电流的稳定性提高了，晶体管的性能也就可以加强了，漏电的程度也就可以降低了。
*45纳米芯片*
在英特尔公司科技制造集团负责组件研究工作的戴维说，英特尔在实验室已经研制成了栅极长度为30纳米的三栅极晶体管。一纳米是十亿分之一米，大约相当于人的头发直径的10万分之一。30纳米已经是微乎其微了，但是英特尔需要更小的栅极，以便用于正在研制中的，线长为45纳米的芯片。在45纳米的芯片中，晶体管栅极的长度只有大约20纳米。戴维说，我们已经走过了研究阶段，而进入了开发阶段，三栅极晶体管可能在2007年应用于半导体芯片。
