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英特尔三栅极晶体管研发进展 - 2003-06-30


英特尔公司宣布在三栅极晶体管的研究开发方面取得进展,离实际应用更近了。

*精微电路块*

这种拥有三个栅极的晶体管是一种未来的晶体管,能够使电流更自由地在芯片内流动。晶体管是小小的开关。是电脑芯片运算的工具。三栅极晶体管的英文名字是Tri-Gate transistor。Gate,在英文里一般指的是门,而在这里可以翻译成栅极。也有人翻译成闸门的闸字,进而把这种新型的晶体管称作三闸极电晶体。《华尔街日报》引用英特尔官员的话说,三闸极电晶体是一种精微电路块,具有三维结构,而不是多数半导体使用的那种平面设计。

*微型晶体管*

三栅极晶体管有助于让晶体管微型化,并且解决微型晶体管的漏电问题。美国的信息技术网站CNET 报道说,节制电流是芯片设计者面临的一大问题。根据摩尔定律,芯片上晶体管的数量每两年就会翻一番。这通常通过缩小晶体管来实现。遗憾的是,小的晶体管会漏电,减少了电池使用时间,也增加了电子装置里的热量。三栅极晶体管能够改善这种情况。方法是,增大栅极的表面积。传统的栅极是平的,电流在栅极下面流动。而三栅极呢,象一个地道,电流在它的内侧流动。栅极的表面积增大了,电流的稳定性就提高了。而当电流的稳定性提高了,晶体管的性能也就可以加强了,漏电的程度也就可以降低了。

*45纳米芯片*

在英特尔公司科技制造集团负责组件研究工作的戴维说,英特尔在实验室已经研制成了栅极长度为30纳米的三栅极晶体管。一纳米是十亿分之一米,大约相当于人的头发直径的10万分之一。30纳米已经是微乎其微了,但是英特尔需要更小的栅极,以便用于正在研制中的,线长为45纳米的芯片。在45纳米的芯片中,晶体管栅极的长度只有大约20纳米。戴维说,我们已经走过了研究阶段,而进入了开发阶段,三栅极晶体管可能在2007年应用于半导体芯片。

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